2차원 반도체소재합성을 위한 결함 형성 억제 메커니즘을 규명한 인하대 박사과정 황윤정 학생.

 

(뉴스통신=김상섭 기자) 인하대(총장 조명우)박사과정에 있는 학생이 2D 반도체소재합성 위한 결함억제 메커니즘을 최초로 규명해 주목받고 있다.

26일 인하대는 화학공학과 박사과정 황윤정 학생(지도교수 신내철)이 2차원 반도체소재 합성을 위한 결함형성 억제 메커니즘을 규명하는 연구성과를 올렸다고 밝혔다. 

황윤정 학생은 2차원소재, 몰리브덴 디셀레나이드(MoSe2)가 성장을 위한 씨앗으로 작용하는 몰리브덴 산화물표면에 수소가 선택 흡착됨으로써 성장중인 MoSe2에 결함형성이 억제되는 것을 최초 규명했다.

연구는 ‘Inherent resistance of seed-mediated grown MoSe2 monolayers to defect formation’제목으로 미국화학회저널 ‘ACS Applied Materials & Interfaces’ 12권 30호에 지난달말 게재됐다. 

MoSe2 등의 전이금속 칼코겐화합물기반의 2차원 반도체구조는 1나노미터이하의 두께를 가지면서도 전하의 수송을 잘 제어할 수 있어 포스트실리콘 반도체연구에서 주목받는 소재다. 

이러한 2차원 반도체소재를 대면적 제조방법으로 주로 화학증기증착이 사용되며, 여기에 사용되는 수소는 2차원구조와 반응해 에칭을 통한 결함구조를 발생시키는 것으로 알려졌다. 

지도교수 신내철 교수는 “화학증기증착을 통한 2차원 반도체소재합성에서 결함을 억제하는 연구결과를 통해 선택적 수소흡착을 이용한 새로운 결함제어 방법론을 제시할 수 있을 것이다”고 설명했다. 

이번 연구는 한국연구재단 신진연구지원을 받아 수행했으며, 울산대 화학공학과 강성구 교수의 참여로 진행됐다.

또, 황윤정 학생은 본 연구를 통해 한국공업화학회 주관 여성인재육성위원회 춘계 워크숍에서 우수논문상을 수상하기도 했다.