(´º½ºÅë½Å= ±è»ó¼· ±âÀÚ)ÀÎõ´ëÇб³ ¹°¸®Çаú ±èÁØÈ£ ±³¼öÆÀ°ú ´ë±¸°æºÏ°úÇбâ¼ú¿ø ±è´ëȯ ¹Ú»çÆÀÀº ÄɽºÆ®¶óÀÌÆ® CZTSSe ¹Ú¸· žçÀüÁöÀÇ È¿À²À» Á¦ÇÑÇÏ´Â ¿ä¼Ò¸¦ ¹ß°ßÇß´Ù.
10ÀÏ ÀÎõ´ë¿¡ µû¸£¸é CZTSSe ¹Ú¸· žçÀüÁö´Â ¹Ú¸·Çü žçÀüÁöÁß ÃÖ°íÈ¿À²À» º¸ÀÌ´Â CIGS žçÀüÁö(±¤Àüº¯È¯È¿À²=22.9 %)´ëü¸¦ À§ÇØ Á¦¾ÈµÆÀ¸¸ç, ¼¼°èÀûÀ¸·Î ¿¬±¸°¡ È°¹ßÇÏ´Ù.
±×·¯³ª ÃÖ±Ù CZTSSe ¹Ú¸· žçÀüÁöÀÇ ±¤Àüº¯È¯È¿À²ÀÌ 12.6 %¿¡¼ Á¤Ã¼µÅ È¿À² °ªÀÌ ¿À¸£Áö ¾Ê°í ÀÖ¾î¼ °ü·ÃÇаè´Â ±× ¿øÀο¡ ´ëÇÑ ºÐ¼®¿¬±¸°¡ ÇÊ¿äÇß¾ú´Ù.
Á¦1ÀúÀÚ·Î ¿¬±¸¸¦ ÁÖµµÇÑ ±è¼º¿¬(ÀÎõ´ë¹°¸®Çаú)¹Ú»ç°úÁ¤ ÇлýÀº CZTSSe ±¤Èí¼öÃþÀÇ S¿Í SeÀÇ »ó´ëÀû ºñÀ²¿¡ µû¶ó¼ žçÀüÁöÈ¿À²¿¡ Á¦ÇÑÀ» µÎ´Â ÀÎÀÚ°¡ ´Ù¸£°Ô Á¸ÀçÇÑ´Ù°í ¹àÇû´Ù.
12% ´ëÀÇ °íÈ¿À² CZTSSe žçÀüÁö¿¡¼µµ S°¡ ¸¹À» °æ¿ì´Â ÀüÇÏ Àç°áÇÕ °áÇÔÀÎÀÚ°¡ ¹ß»ýÇÑ´Ù.
¹Ý¸é¿¡ SeÀÌ ¸¹À» °æ¿ì´Â Àüµµ ¿¡³ÊÁö ¹êµå ¿ÀÇÁ¼ÂÀÌ Å©°Ô »ý°Ü È¿À²Çâ»ó¿¡ Àå¾Ö¹°ÀÌ(bottleneck) µÊÀ» ½ÇÇèÀûÀ¸·Î ±Ô¸íÇß´Ù.
ƯÈ÷, À̵é Á¦ÇÑÀÎÀÚµéÀÇ ¹ß»ýÀúÇϸ¦ ÅëÇØ È¿À²Áõ°¡°¡ °¡´ÉÇÔÀ» Á¦½ÃÇÑ °ÍÀÌ À̹ø ¿¬±¸¿¡ ÀÇÀǸ¦ µÎ°í ÀÖ´Ù.
À̹ø ¿¬±¸°á°ú´Â ¼¼°èÀû Àú¸íÇмúÁöÀÎ ³ª³ë¿¡³ÊÁö(Nano Energy, impact factor=12.343)¿Â¶óÀÎÆÇ(2017³â 12¿ù 21ÀÏ)¿¡ ¡®Limiting effects of conduction band offset and defect states on high efficiency CZTSSe solar cell¡¯ Á¦¸ñÀ¸·Î °ÔÀçµÆ´Ù.